Бета - Ga2O3 является наиболее прозрачным токопроводящим оксидом. Являясь одним из самых современных полупроводниковых материалов, монокристалл B - Ga2O3 известен своими сверхширокополосными зазорами с прямым полосовым зазором. По сравнению с другими полупроводниковыми кристаллами третьего поколения SiC и GaN, он имеет много выдающихся преимуществ, таких как более широкая полоса зазора (4.9eV), более короткий край абсорбции и более низкая стоимость роста. Его диаграмма Baliga (Эпсилон μEg3, относительно Si) достигает 3214.1, что примерно в 10 раз больше, чем у SiC, и в 4 раза больше, чем у кристалла GaN. Это означает, что устройства, разработанные с использованием бета - Ga2O3, будут иметь меньшие потери проводимости и более высокую эффективность преобразования мощности с хорошими перспективами применения в высоковольтных и мощных устройствах.
B - Ga2O3 также имеет широкие перспективы применения в солнечной слепой ультрафиолетовой области спектра (200 - 280нм). Оксид галлия с зазором 4,8 - 4,9 эВ является идеальным материалом для изготовления солнечных слепых ультрафиолетовых детекторов, поскольку его зона поглощения расположена примерно на 250 нм, что позволяет производству Ga2O3 избегать процессов легирования, таких как AlGaN и ZnMgO.
По сравнению с традиционным обнаружением видимого и инфракрасного света, дневное слепое ультрафиолетовое обнаружение имеет неотъемлемые преимущества низкого фонового шума, высокой чувствительности и сильной антиинтерференционной способности. Эффективно снижая частоту ложных срабатываний и сложность обработки сигналов, он может использоваться во многих областях, таких как раннее предупреждение о приближении ракет, спутниковая связь, различные экологические наблюдения, поиск и спасение на море, автоматическое наведение на посадку беспилотных летательных аппаратов и химическое и биологическое обнаружение.
В дополнение к преимуществам химической стабильности, высокой механической прочности, высокой высокотемпературной стабильности и т. Д. Кристаллы β - Ga2O3 не подвержены коррозии и обладают отличными оптическими свойствами, то есть высокой прозрачностью в видимой и ультрафиолетовой областях, особенно в ультрафиолетовой и синей областях, Таким образом, монокристалл бета - Ga2O3 может использоваться в качестве прозрачного проводящего материала нового поколения для солнечных батарей и технологии отображения плоских панелей. Проводимость монокристаллов β - Ga2O3 изменяется в зависимости от окружающей среды и может быть применена к методам обнаружения газов.
General Properties of Ga2O3 Single Crystal | |
Crystal Structure | Monoclinic |
Lattice Constant | a=5.80A, b=3.04 A,c=12.23A |
Melting Point | 1740℃ |
Relative Permittivity | 10 |
Thermal Conductivity | 11W/m/℃ at 25℃[100] |
Breakdown Field Strength | 8 MV/cm |
Mobility | 300 cm2/Vs |
Band Gap | 4.8~4.9 eV |
XRD Twin Crystal Swing Half Width | 27" |
Dislocation Density | 3×104/cm |
Surface Roughness | 0.2nm-Customer-designed |
Resistivity Regulation | 5×10-3 ~ 109Ω·cm |
| |||
Orientation | Size | Specification | Draft |
(010) | 10mm×10mm×1mm | FWHM<150” |
|
10mm×10mm×0.5mm | |||
5mm×5mm×1mm | |||
5mm×5mm×0.5mm | |||
(100) | 10mm×10mm×1mm | FWHM<100” |
|
10mm×10mm×0.5mm | |||
5mm×5mm×1mm | |||
5mm×5mm×0.5mm |
коррекция линз
Сапфировое окно
Лазерные защитные очки
Окно кристалла оксида галлия (β - Ga2O3)
Fused Silica Window